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三极管按材料分有两种：硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用 多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，取代一些硅原子，在电压激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）；两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。

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其特点是机械设备构造简单，且操作技术成熟。其原理主要是利用机械剪将电线电缆破碎成颗粒状，再利用比重、磁力或静电分选方法，将破碎之非金属与金属予以分离。机械法系将废电线电缆以将其切成适当的长度，再以粉碎机将其粉碎至适当的粒径予以分离，流程如下：剪切单元：以铡式剪切机将废电线剪切成适当的长度，其长度随着电线电缆的直径而异。粗碎、细碎：利用式破碎机将电缆破碎至15mm左右。分离：分离单元首先可用筛网来确保粉碎颗径达到一定的范围。再用气动分选机可将金属粒、绝缘颗粒及中间产品（带有绝缘物的金属粒）予以分离，其中间产物可再送回二次粉碎机再行，若含铁质则需进行磁选；一般而言，此一分离可9～99.5%的金属。

改变偏置状态之后观察集电极电压的变化就可推出其电流的变化，进一步判断晶体管有无放大能力。这类放大电路不论有无信号，其工作点是不会变的，故此法具有可行性。方法是短路被测管的BE结，应出现：UBE=0V,IB=0,IC=0。UCE=VCC。UE0。即晶体管如同断路一般。但该方法不能用于直接耦合电路，因为该方法会引起电路工作失常。工作于饱和—放大状态的晶体管对于该种电路，无信号时是饱和状态，这是也可以采用短路BE结观察UC的变化情况。有些PLC采用EEPRON（电可擦写只读存储器）来存储用户程序，由于EEPROM存储器中的内部可用号进行擦写，并且掉电后内容不会丢失，因此采用这种存储器后可不要备用电池。输入/输出接口输人／输出接口又称I／O接口或I／O模块，是PLC与外围设备之间的连接部件。PL通过输入接口检测输人设备的状态，以此作为对输出设备控制的依据，同时PLC又通过输出接口对输出设备进行控制。PLC的I／O接口能接收的输入和输出信号个数称为PLC的I／O点数，I／O点数是PLC的重要依据之一。显然，过程映像区并不能涵盖整个CPU的输入/输出地址区域。当我们要访问的I/O地址超出了过程映像区的范围，就必须使用外设寻址了。CPU315-2DP的技术数据（节选）对于400的CPU而言，以CPU-4162DP为例（如所示），输入/输出均16KB，过程映像区默认为512个字节，但可调整为16KB。当访问地址超出了默认的过程映像区范围时，我们就要以下选择了：或者修改过程映像区的大小或者采用外设寻址CPU416-2DP的技术数据（节选）输入/输出模块地址未分配给过程映像区特别是对于S7-400系列CPU而言，要想使用过程映像区，需给输入/输出模块地址分配过程映像，OB1-PI或者PIP中的一个（详见《S7-300/400进阶笔记2：过程映像区的分类及其更新机制》一文）。就这个问题我觉得华能的考问的有水平，一是理论书上不好查，二是规程上没有，而且还真的要去就地多看看才能知道。至于发电机失磁、振荡的现象和，这种题，人家现在已经不问了。所以各位不要去查，就现在看看自己究竟知道不知道，如果不知道，以后还是要努力学习，多问，多看，多思考，不要光看规程和理论书。熟悉电气图例符号，弄清图例、符号所代表的内容。电气符号主要包括文字符号、图形符号、项目代号和回路标号等。